RIE反應離子刻蝕機

    CIF推出RIE反應離子刻蝕機,采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式,實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學,科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行RIE反應離子刻蝕。

    更新時間:2024-03-18 16:21:40
  1. 詳細信息
   CIF 推出 RIE 反應離子刻蝕機,采用 RIE 反應離子誘導激發(fā)方式,實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學、科研院所,微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行 RIE 反應離子刻蝕。
具體包括:
◆ 介電材料(SiO2、SiNx 等)
◆ 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
◆  III-V 材料(GaAs、InP、GaN 等)
◆ 濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W 等)
◆ 類金剛石(DLC)
應用領域:
主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發(fā)和制造。
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產(chǎn)品特點

◆  7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面,自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20 個配方程序,工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。

◆  PLC 工控機控制整個清洗過程,手動、自動兩種工作模式。

◆  真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質,耐腐蝕無污染。

◆  采用防腐數(shù)字流量計,  實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng), 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng), 可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

◆  采用花灑式多孔進氣方式,改變單孔進氣不均勻問題。

◆  HEPA 高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

◆  符合人體功能學的 60 度傾角操作界面設計,操作方便,界面友好。

◆  采用頂置真空艙,上開蓋設計,下壓式鉸鏈開關方式。

◆  上置式 360 度水平取放樣品設計,符合人體功能學,操作更方便。

◆  有效處理面積大,可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。

◆  安全保護,艙門打開,自動關閉電源,機器運行、停止提示。

 技術參數(shù)

型號

RIE200

RIE200plus

艙體內(nèi)尺寸

H38xΦ260mm

H38xΦ260mm

艙體容積

2L

2L

射頻電源

40KHz

13.56MHz

電極

不銹鋼氣浴 RIE 電極,  Φ200mm

不銹鋼氣浴 RIE 電極,  Φ200mm

匹配器

自動匹配

自動匹配

刻蝕方式

RIE

RIE

射頻功率

0-600W 可調(可選 0-1000W)

0-300W 可調(可選 0-600W)

氣體控制

質量流量計(MFC)(標配雙路,可選多路)流量范圍 0-500SCCM(可調)

工藝氣體

Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等(可選)

最大處理尺寸

Φ154mm

產(chǎn)品尺寸

L520xW600xH420mm

包裝尺寸

L700xW580xH490mm

時間設定

9999 秒

真空泵

抽速約 8m3/h

氣體穩(wěn)定時間

1 分鐘

極限真空

=1Pa

電源

AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W 所有配線符合《低壓配電設計規(guī)范

GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規(guī)范》等國標標準相關規(guī)定。

整機重量

38kg

 
備注:
 可選:1、冷卻循環(huán)水器:溫度控制范圍 -20-100℃;

 
                       2、分子泵:分子泵抽速 85L/s(N2)極限真空:LF<8*10-6Pa,CF<8*10-7Pa。

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